LEEM-8 Effett Magnetoreżittiv Apparat Sperimentali Immaġni Dehru

LEEM-8 Apparat Sperimentali ta' Effett Manjetoreżittiv

Deskrizzjoni qasira:

Nota: oxxilloskopju mhux inkluż

L-apparat huwa sempliċi fl-istruttura u rikk fil-kontenut.Juża żewġ tipi ta 'sensors: sensor GaAs Hall biex ikejjel l-intensità tal-induzzjoni manjetika, u biex tistudja r-reżistenza tas-sensor ta' magnetoresistance InSb taħt intensità ta 'induzzjoni manjetika differenti.L-istudenti jistgħu josservaw l-effett Hall u l-effett ta 'manjetoresistance tas-semikondutturi, li huma kkaratterizzati minn esperimenti ta' riċerka u disinn.

Ibgħat email lilna

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Esperimenti

1. Studja l-bidla fir-reżistenza ta 'sensor InSb vs l-intensità tal-kamp manjetiku applikat;sib il-formula empirika.

2. Iplottja r-reżistenza tas-sensorju InSb vs l-intensità tal-kamp manjetiku.

3. Studja l-karatteristiċi AC ta 'sensor InSb taħt kamp manjetiku dgħajjef (effett ta' rduppjar tal-frekwenza).

Speċifikazzjonijiet

Deskrizzjoni	Speċifikazzjonijiet
Provvista ta 'enerġija tas-sensor ta' reżistenza manjeto	0-3 mA aġġustabbli
Voltmetru diġitali	medda 0-1.999 V riżoluzzjoni 1 mV
Milli-Teslametru diġitali	medda 0-199.9 mT, riżoluzzjoni 0.1 mT