Apparat Sperimentali tal-Effett Manjetoreżistiv LEEM-8

Nota: oxxilloskopju mhux inkluż

L-apparat huwa sempliċi fl-istruttura u rikk fil-kontenut. Huwa juża żewġ tipi ta 'sensuri: GaAs Hall sensor biex ikejjel l-intensità tal-induzzjoni manjetika, u biex jistudja r-reżistenza tas-sensor tal-manjetoreżistenza InSb taħt intensità ta' induzzjoni manjetika differenti. L-istudenti jistgħu josservaw l-effett Hall u l-effett tal-manjetoreżistenza tas-semikondutturi, li huma kkaratterizzati minn esperimenti ta 'riċerka u disinn.

Esperimenti

1. Studja l-bidla tar-reżistenza ta 'sensor InSb vs l-intensità tal-kamp manjetiku applikat; sib il-formula empirika.

2. Ipplottja r-reżistenza tas-sensor InSb vs l-intensità tal-kamp manjetiku.

3. Studja l-karatteristiċi AC ta 'senser InSb taħt kamp manjetiku dgħajjef (effett li jirdoppja l-frekwenza).

Speċifikazzjonijiet